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真空提純爐

應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，金屬材料的提純結(jié)晶，金屬材料的純度影響半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的導(dǎo)電性能，故濺射靶材對金屬材料的純度提出了相當(dāng)高的要求。設(shè)備由多級加熱室組成，每級加熱室的溫度不同，通過多溫度段加熱實現(xiàn)不同蒸發(fā)物在不同位置的結(jié)晶收集。

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真空提純爐

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真空提純爐

圖文詳情

設(shè)備用途及特征：

設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)：

參數(shù)型號	工作區(qū)尺寸 W×H×L(mm)	裝載重量(不代表裝爐量)(kg)	最高溫度(℃)	溫度均勻性(℃)	加熱功率(kW)	極限真空度(Pa)	壓升率(Pa/h)
VDDS-030306	300×300×600	100	2200	±4	75	2	≤0.67
VDSD-040408	400×400×800	200	2200	±4	90	2	≤0.67
VDSD-040415	400×400×1500	400	2200	±5	120	2	≤0.67
VDSD-050520	500×500×2000	900	2200	±5	210	2	≤0.67
VDSD-060630	600×600×3000	1800	2200	±5	315	2	≤0.67
VDSD-070740	700×700×4000	3500	2200	±5	450	2	≤0.67
VDSD-080850	800×800×5000	5200	2200	±5	600	2	≤0.67